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美国恐扩大禁运14nm以下半导体设备,28nm卡关问题未完全解决

美国拜登政府一直筹谋进一步扩大对中国大陆半导体设备的禁运范围,包括施压荷兰光刻机巨头ASML禁运成熟制程的DUV机台设备。日前,外媒指出美国要将禁运防线从之前限制的10nm制程,提升到14nm制程设备,未来影响的范围恐包括台积电南京厂、中芯国际、华虹集团上海华力微等半导体厂。

对于拜登政府扩大设备禁运防线有迹可循。

一直以来,28nm制程并非在美国禁运或制裁的行列,但国内多家半导体厂在扩产28nm制程时所需要用到的关键设备,一直被美国卡关,迟迟不肯放行给中国大陆的半导体厂,当时受影响的有台积电南京厂、联电的厦门联芯、中芯国际等。

根据《问芯Voice》了解,美国刻意不放行这一类生产28nm关键设备的原因为:这类设备除了是使用在28nm制程上,也可以往下沿用到14nm制程节点,这是美国真正不肯放行28nm关键设备的原因。由此可知,美国对于将禁运防线提升至14nm,早已经筹谋多时。

据供应链指出,初期台积电南京厂、联电厦门联芯、中芯国际送出审批后都被卡住,但最后,并非优先送件的台积电南京厂、厦门联芯的审批却是优先通过。

先前,美国对于中国大陆半导体的设备禁运主要是对中芯国际。2020年底,美国商务部已经将中芯国际列入实体清单,对于采购先进技术10nm制程节点(或以下)的半导体设备的申请,将被推断为拒绝。

自那时起,中芯国际逐渐将产能重心转到成熟制程技术上,大力扩产成熟制程的产能,以满足国内许多IC设计公司的需求。

这次,传出美国有意将禁运限制从10nm提升至14nm,且限制对象可能不仅是中芯国际,是全面扩大至所有半导体厂。如果该限制落实,那第一个受冲击的恐怕是台积电南京厂原本要扩充16nm制程技术的计划。

事实上,国内半导体厂自从华为被制裁以来,各个都是早已心里有数,尽量提前做规划,几乎每一家半导体厂包括逻辑晶圆代工、DRAM和NAND存储大厂这两年来都是疯狂采购机台先存着、放着、备着,就是怕有一天自己也被制裁。

今年7月初,美国更是向荷兰、日本施压,要求光刻机大厂包括ASML和Nikon禁止销售使用在成熟制程的深紫外光(DUV)机台给中国大陆的半导体厂。在此之前,ASML最先进的极紫外线(EUV)光刻机已经禁止销售到中国大陆,目的就是全力围堵国内的先进制程技术发展。

对此,ASML的CEO Peter Wennink指出:“这不是突如其来的要求,因为美国不时就会提出类似建议:限制向大陆出口DUV光刻机。”他进一步强调,大家必须要意识到一件事,就是中国大陆已经是现在全球半导体产业的重要参与者,如果扩大对其禁售,那全球半导体供应链也将会面临危机。”

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