集微网消息,据科技网站Tom's handware报道,台积电N3E工艺良率超预期,N3E SRAM的良率明显高于N3。
近期,一份台积电内部资料被泄露,资料显示N3E工艺发展十分顺利,良率表现突出,可提前约六个月投入生产。其中256Mb SRAM的平均良率约为80%,移动设备以及HPC芯片的良率也为80%左右,经过良率验证的环形振荡器性能优于92%。
摩根士丹利在3月发布报告指出,台积电第一代3nm制程(N3)的改良型N3e制程进展顺利,将在3月底前完成N3e制程设计流程。
《工商时报》也曾报道,N3E 工艺将会成为各大厂商量产主力,包括苹果 iPhone 15 系列的的A17处理器、下一代的M3处理器,还有AMD未来的 Zen5等等。台积电尚未回应此报道。
(校对/李梅)