“立方砷化硼”、“氧化镓”等新型半导体制造材料正在进入投资者视野。自7月27日以来，在上海证券交易所和深圳证券交易所的互动平台上分别以“立方砷化硼”、“氧化镓”为关键词搜索问答记录，记者分别得到8条和65条结果，均与公司业务范围相关。
上月底，麻省理工休斯顿大学和其他机构的科学家宣布他们已经发现了“迄今为止能发现的最好的半导体材料”——立方砷化硼，随后网络上便出现了咨询“砷化硼概念股”的问答。
网上也流传出了“砷化硼概念股”的上市企业名单，包括聚灿光电，中金黄金，湖南黄金，三安光电，乾照光电、金贵银业，正帆科技等公司，并试图将其与“立方砷化硼”的概念挂钩。
第一财经记者梳理后发现，排除湖南黄金、金贵银业等以贵金属开采、冶炼、化工合成为业务的企业后，剩余的光电公司与“砷化硼”或“立方砷化硼”的关系并不大。
目前，乾照光电、盐湖股份、四方达等多家上市公司已纷纷在公开平台回应投资者和咨询者，表示不生产“立方砷化硼”相关材料。最“贴近”的是三超新材8月1日在互动平台表示，公司没有立方砷化硼业务，公司有部分砂轮用立方氮化硼为原材料。
立方砷化硼是什么
硅片目前仍旧是市场上应用最为广泛的半导体材料，SEMI 数据显示，硅片在半导体材料领域所占的市场份额占比达 32.9%，排名第一。然而硅元素作为半导体材料具有两方面不足：
不太善于传导热量以及不具备足够好的空穴迁移率，这成为制约半导体性能至关重要的因素。
科学界认为，立方砷化硼在理论上同时具有比硅更好的导热性以及更高的双极性迁移率。7月，国家纳米科学中心研究员刘新风研究团队联合美国休斯敦大学在《科学》上发表论文，首次在半导体砷化硼中检测到其电子空穴约化迁移率约1550 cm2/Vs。通过查阅论文，记者了解到，目前应用在芯片中的应变硅电子的空穴约化迁移率最高仅可达830 cm2/Vs。
据国家纳米科学中心副研究员岳帅介绍，空穴约化迁移率决定了半导体材料的逻辑运算速度，迁移率越高则运算速度越快。
另外，在导热性方面，铜的热导率400W/mK，目前已广泛应用于芯片制造的碳化硅的导热率为500W/mK，而根据刘新风的介绍，目前学界预测砷化硼的热导率可以媲美金刚石，达到2000W/mK。
然而，据麻省理工学院称，目前立方砷化硼并无法大批量生产，对于该物质，目前尚需要研究人员借助特殊设备来研究其特性。
第四代半导体材料引关注
当然，立方砷化硼并不是拨动市场神经的唯一新材料。
美国时间8月12日，美国商务部工业和安全局（BIS）在《联邦公报》中披露了一项新增的出口限制临时最终规则，限制以金刚石和氧化镓为代表的超宽禁带半导体材料等产品的出口。随后，网络上便频现关于“第四代半导体材料”的讨论。
目前，从能带角度通常可以将半导体材料划分为三代：第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体材料为代表；第二代以砷化镓和磷化铟（InP）为代表；第三代是指Ⅲ族氮化物（如氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）等）、碳化硅（SiC）、氧化物半导体（如氧化锌（ZnO）、氧化镓（Ga2O3）、钙钛矿（CaTiO3等）和金刚石等宽禁带半导体材料。而目前网络上炒动的所谓“第四代半导体材料”便是美国近期限制出口的金刚石和氧化镓。
市场方面，8月15日氧化镓概念股新湖中宝开盘“一字”涨停，截至17日收盘，新湖中宝股价为2.8元，相较于8月9日开盘价2.56元，上涨约9.3%。
据了解，该公司持有杭州富加镓业科技有限公司22%股权，富加镓业依托于中科院上海光机所，研究新型半导体材料--氧化镓(Ga2O3)，目前的信息显示基于β氧化镓的晶体制备及其功率器件开发已取得一定进展。此外，该公司还参股上海钻石交易所，持股比例5%。
此外，金刚石概念股晶盛机电8月15日开盘时也曾一度涨停，最大涨幅达到12.38%，最新总市值为995.26亿元。截至8月17日收盘，晶盛机电股价为76.1元，相较于9日开盘价70元，上涨约8.7%。该公司于今年3月初曾表示，公司全自动金刚石生长炉研发成功。
据了解，对于氧化镓原件的开发可以追溯到2012年，日本国家信息与通信技术研究所（NICT）发表了首个单晶β-氧化镓晶体管。而到了2014年，氧化镓材料迎来量产。
我国氧化镓的研究目前主要集中于科研领域。今年我国科技部将氧化镓列入“十四五重点研发计划”，这让该物质获得了更为广泛的关注。在产业化方面，国内目前刚刚起步，北京镓族科技、杭州富加镓业、北京铭镓半导体、深圳进化半导体中电46所等企业纷纷涌入氧化镓基础材料领域。
此外，新湖中宝、三安光电、蓝晓科技、中国西电、上海瀚讯、隆基绿能、南大光电等也正在布局如金属镓提取、氧化镓晶体生长、宽禁带半导体等产业相关上下游的领域。
