美股研究社获悉,据《科创板日报》24日讯,据知名科技网站Tom‘s handware消息,台积电N3E工艺良率超预期,N3E SRAM的良率明显高于N3,其中256Mb SRAM的平均良率约为80%,移动设备以及HPC芯片的良率也为80%左右。
据悉,N3E工艺为N3工艺的加强版,其性能和功耗表现更好,此前有消息称苹果M3芯片将采用台积电N3E工艺。
据了解,台积电主要从事积体电路及半导体产品制造及销售业务。该公司主要业务包括集成电路及其他半导体装置的设计制造、光罩与封装技术服务等。
该公司产品应用范围包括于个人电脑与其周边产品、资讯应用产品、有线与无线通讯系统产品、汽车与工业用设备以及数位影音光碟机、数位电视、游戏机、数位相机等消费性电子。