随着智能手机性能的不断提升，如今除了CPU、GPU性能大幅增长外，在外围的内存及闪存读写速度上也已经随之有着长足的进步。继UFS 3.1已经成为安卓旗舰机型的标配后，日前国内厂商江波龙也公布了FORESEE UFS 3.1旗舰闪存芯片的相关信息，并且其目前已进入样品测试验证阶段。
根据目前官方公布的产品端相关信息显示，FORESEE UFS 3.1的顺序读取速度最高可达2.05GB/s，顺序写入速度最高为1.2GB/s，随机读取最高150K IPOS、随机写入最高140K IOPS。同时其带宽速度高达2.9GB/s，相比UFS 2.2有着一倍的增长，并且可实现最低-25℃、最高85℃工作温度。目前，其单颗芯片可提供128GB、256GB、512GB三种容量版本，采用的是BGA153封装，尺寸为13 x 11.5毫米、芯片厚度最低仅1毫米
按照江波龙方面公布的FORESEE UFS 3.1相关信息不难发现，其已经达到了目前主流同类产品的水准，并且在各项性能上也均达到了旗舰级的表现。但至于其将于何时量产、以及由哪款机型首发，则还有待后续更进一步的消息确认，有兴趣的朋友不妨继续保持关注。
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