摘要：7月27日消息，今年5月，存储芯片大厂美光（Micron）发布了业界首个 232 层堆栈的3D NAND芯片，昨日晚间，美光宣布其232层堆栈的TLC闪存正式量产。这是全球首个量产的超过200层的闪存，也是业界密度最高的，接口速度提升到2.4GB/s，写入速度提升100%。
7月27日消息，今年5月，存储芯片大厂美光（Micron）发布了业界首个 232 层堆栈的3D NAND芯片，昨日晚间，美光宣布其232层堆栈的TLC闪存正式量产。这是全球首个量产的超过200层的闪存，也是业界密度最高的，接口速度提升到2.4GB/s，写入速度提升100%。
美光技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer表示232层闪存是存储芯片创新的分水岭，首次证明了3D闪存有扩展到200层以上的能力。
具体来说，这款232 层堆栈的 3D NAND采用的是3D TLC 架构，原始容量为 1Tb（128GB），该存储器基于美光的 CuA 架构，并使用 NAND 字符串堆栈技术，在彼此的顶部建立两个 3D NAND 阵列。
而在 CuA 设计的 232 层堆栈的3D NAND Flash中，将大大减少美光 1Tb 3D TLC NAND Flash 的尺寸，提升存储密度。
据介绍，该232层TLC闪存是有史以来密度最高的，达到了14.6Gb/mm2，比当前的TLC闪存高出35-100%，而且232层闪存使用了11.5x13.5mm封装，尺寸比前代产品小了28%，是市面上最小面积的高密度闪存，可以减少对电路板空间的占用。同时有利于降低生产成本。
该232层闪存还是全球首个六平面TLC闪存，在TLC闪存中平面最多，而且每个平面都可以独立读取，高IO速度、低延迟及六平面结构相结合使得232层闪存可以提供一流的数据传输能力。
美光表示其232层TLC闪存引入了业内最快的IO速度，可达2.4GB/s，比上代的176层闪存高出50%，同时写入带宽提升100%，读取带宽提升75%。
此外，美光的232层闪存还是首款支持NV-LPDDR4，后者是一种低压接口，相比之前的I/O接口，每比特的能效提升30%以上。
目前美光的232层闪存已经在新加披工厂量产，最初会由美光旗下的英睿达品牌推出消费级SSD，后续将会推出其他产品。
编辑：芯智讯-林子
