三星将于下周展示全球首款3nm半导体芯片。该公司于6月30日开始大规模生产先进的半导体。据报道,该公司已安排在7月25日星期一举行启动仪式。
三星的3nm芯片基于Gate-All-Around(GAA)晶体管架构。它是一种新的芯片架构,与当前解决方案采用的FinFET(鳍式场效应晶体管)架构相比,性能和功率得到了改进。它还允许更小的处理器占用空间。
这家韩国公司正在向一家生产加密货币挖掘处理器的中国公司提供其3nm解决方案的初始生产运行。但是,由于与之相关的行业的性质,该公司并未将其视为长期客户。三星将寻求加入一些值得信赖的客户,例如智能手机制造商。
据报道,它正在努力应对其3nm芯片的良率。该公司生产的大多数先进芯片都不符合要求的质量。这家韩国巨头现在正在努力提高良率(据说80%到90%是理想的),同时改进其芯片技术。计划明年初开始生产第二代3nm解决方案。这些可能适用于智能手机。
台积电在代工制造领域历来领先三星,准备在今年晚些时候开始3nm量产。但该公司将继续使用FinFET架构再发展一代。预计在2025年转向使用2nm芯片的GAAFET。
然而,台积电的芯片技术历来优于三星。它的解决方案能提供更好的整体性能,并且比韩国公司的竞争解决方案更节能。台积电的芯片在热管理方面也做得非常好。因此,三星希望缩小与主要竞争对手的差距。