真我GT2大师探索版已定于7月12日正式发布，realme副总裁徐起曾暗示，这次大探2带来了不少全球领先的首发技术，让很多网友很是期待。
今日，真我官方带来真我GT2大师探索版的新消息，该机将采用真我手机史上最强散热——双VC冰芯散热MAX。
据介绍，这套散热方案有别于常规的单面传导，采用三明治立体双VC结构，VC面积高达4811m㎡，宣称散热堪比游戏手机。
今早，真我官宣，真我GT2大师探索版内置全球首发的LPDDR5X芯片，这相比上一代LPDDR5存储芯片，在保持高速传输的同时，功耗降低20%。
此外，该机将搭载高通骁龙8+旗舰处理器，配备120Hz超窄天际屏，侧边宽度仅为1.48mm，该机还采用COP封装工艺，将下巴缩短至2.37mm，使得屏占比高达94.2%。
真我GT2大师探索版在设计上也下了大功夫，由国际著名潮流设计师Jae Jung主理设计，硬箱造型的直角金属中框，背面采用环保素皮，并且还有金属铆钉装饰，辨识度拉满。
GT2大师探索版采用COP封装工艺，它直接将屏幕的一部分弯折然后封装，可以极大缩减下边框。
得益于COP封装工艺，GT2大师探索版的下边框只有2.37mm，比iPhone 13 Pro下边框更窄，可能是边框最窄的骁龙8+机型。
realme副总裁徐起表示，GT2大师探索版的正面非常顶，采用超窄天际屏，正面堪称颜王。
核心配置上，realme GT2大师探索版采用6.7英寸中置挖孔柔性直屏，分辨率为2412×1080，刷新率为120Hz，后置5000万AI三摄，电池容量为5000毫安时，支持100W超级闪充。
相信这款质感旗舰还会有更多的首发技术，等待官方为我们揭晓。
