作为realme方面将于7月12日推出旗舰新机，随着真我GT2大师探索版亮相时间的不断临近，官方在预热活动中透露的产品端相关信息也吸引了外界的众多关注。继此前真我GT2大师探索版的产品外观及部分硬件配置信息被曝光后，今日官方还公布了其核心硬件配置及散热方面的进一步详情。
根据此次官方公布的相关信息显示，真我GT2大师探索版确认将搭载高通新款旗舰主控骁龙8+，将首发LPDDR5X内存、对比上代综合功耗可降低20%，并配备UFS 3.1存储芯片。而在散热方面，此次还将配备双VC冰芯散热MAX，其采用了三明治立体双VC结构、VC面积高达4811m㎡，在散热方面有着更为突出的表现。
而在官方公布的产品渲染图中显示，真我GT2大师探索版将采用目前主流的居中开孔屏设计，并且得益于微缝链接工艺与COP封装，屏幕边框控制极为出色，在屏占比方面也有着十分突出的表现。其机身背部左上角安置的是矩形后置多摄模组，背壳为环保素皮材质。
按现阶段所曝光的产品端相关信息不难发现，真我GT2大师探索版此次除了常规的硬件配置升级外，在包括外观、性能等方面也有着大幅的提升。但至于这款新机的具体产品详情，则还有待后续realme方面更进一步消息的确认，有兴趣的朋友不妨继续保持关注。
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