长江存储在2022年闪存峰会（FMS）上正式发布了基于晶栈3.0（Xtacking3.0）技术的第四代TLC三维闪存X3-9070。根据供应链透露，堆叠层数达到232层，与一线国际NAND FLash大厂比肩而行。相比长江存储上一代产品，X3-9070拥有更高的存储密度，更快的I/O速度，并采用6-plane设计，性能提升的同时功耗更低，进一步释放系统级产品潜能。
长江存储第四代TLC三维闪存X3-9070
自2018年问世以来，晶栈Xtacking技术已成为长江存储助推闪存行业发展的关键动力之一。存储阵列和外围电路的混合键合工艺为闪存产品带来了更高的密度、更快的I/O速度和更短的产品上市周期。随着长江存储晶栈3.0的推出，新一代X3系列闪存产品将为大数据、5G、智能物联AloT及其他领域的多样化应用带来新的机遇。
经历了晶栈Xtacking从1.0到3.0的迭代发展，长江存储在三维异构集成领域已积累了丰富的经验，并基于晶栈Xtacking技术成功打造了多款长江存储系统解决方案产品，包括SATA III、PCIe Gen3、Gen4固态硬盘，以及用于移动通信和其他嵌入式应用的eMMC、UFS等嵌入式存储产品，获得了行业合作伙伴的广泛好评。
NAND Flash芯片技术上，只要堆叠的层数越多，容量就会越高。NAND闪存堆对层数达到200+是产业的创举，包括美国美光、韩国三星、日本铠侠三家闪存大厂都进入200+层大战。长江存储的技术堆叠层数一路从64层、72层、96层、128层，现在也正式跨入200+大战，显示其技术水平已经与国际大厂比肩。距离2016年成立至今，只花了不到十年的时间。
Forward Insights 创始人兼首席分析师 Gregory Wong表示，“长江存储自研晶栈3.0架构的问世是其在3D NAND赛道上的重要突破，存储阵列和外围逻辑电路的混合键合技术对推动3D NAND 技术发展和创新至关重要。搭载先进的闪存技术晶栈3.0平台，X3-9070是一个关键的行业里程碑。这也预示着，存储单元和外围逻辑电路混合键合的技术，将有望成为未来的行业主流。”
长江存储X3-9070的性能、耐用性和可靠性已并通过美国电子器件工程联合委员会（JEDEC）定义的多项测试标准，整体而言，X3-9070具有如下技术特点：
性能：X3-9070实现高达2400MT/s的I/O传输速率，符合ONFI5.0规范；相较于长江存储上一代产品实现了50%的性能提升；
密度：得益于晶栈3.0的架构创新，X3-9070成为了长江存储历史上密度最高的闪存颗粒产品，能够在更小的单颗芯片中实现1Tb的存储容量；
提升系统级产品体验：得益于创新的 6-plane设计，X3-9070相比传统4-plane，性能提升50%以上，同时功耗降低25%，能效比显著提升，可为终端用户带来更具吸引力的总体拥有成本（TCO）。
长江存储执行副总裁陈轶表示，“X3-9070闪存颗粒是长江存储近年来在三维闪存领域的匠心之作，拥有出色的性能表现和极高的存储密度，能够快速高效地应用于主流商用场景之中。面对蓬勃发展的5G、云计算、物联网、自动驾驶、人工智能等新技术带来的全新需求和挑战，长江存储将以晶栈为基点，不断开发更多闪存产品，协同上下游存储合作伙伴，用晶栈为存储产业赋能。
