选自Reuters
机器之心编译
编辑：蛋酱
在中美科技脱钩的大背景下，中国存储芯片企业或将遭遇「断供」风险。
据路透社报道，四位知情人士透露，美国正在考虑限制向中国存储芯片制造商出口美国芯片制造设备，其中包括中国存储芯片头部企业长江存储 (YMTC)。
如果这一措施获得批准，打击行动将包括禁止将美国芯片制造设备运往中国的先进 NAND 芯片工厂。出口管制方面的专家表示，这标志着美国将首次通过出口管制来打击中国生产无专门军事用途的存储芯片。
此举还旨在保护美国仅有的存储芯片生产商西部数据和美光科技，这两家公司合计约占全球 NAND 芯片市场的四分之一。
一位不愿透露姓名的消息人士称，如果拜登政府继续采取行动，还可能波及韩国存储芯片巨头三星电子和 SK 海力士。三星在中国拥有两家大型工厂，而 SK 海力士正在收购英特尔公司在中国的 NAND 闪存芯片制造业务。
NAND 闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。NAND 闪存芯片仅有指甲大小，就可保存大量数据。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND 闪存芯片的应用场景越来越广泛，常见设备包括手机和笔记本电脑。一部手机或笔记本电脑可以容纳多少千兆字节的数据，取决于它包含多少 NAND 芯片以及芯片的先进程度。
据两名消息人士透露，根据正在考虑中的措施，美国政府将禁止向中国出口用于制造 128 层以上 NAND 芯片的工具，总部位于硅谷的 LAM Research Corp 和 Applied Materials 是此类工具的主要供应商。
不过，目前所有消息来源都是描述政府在早期阶段对此事的考虑，尚未起草任何拟议法规。
当被要求对可能的举动发表评论时，负责出口管制的美国商务部发言人并未讨论潜在的限制措施，但指出「拜登政府的重点是削弱（中国）制造先进半导体的努力，以应对美国的重大国家安全风险。」
「后起之秀」长江存储
长江存储（YMTC）成立于 2016 年，2017 年研发出第一代 32 层 NAND 存储产品，是 NAND 芯片制造领域的后起之秀。
2020 年 4 月，长江存储宣布研发出第三代 TLC/QLC D NAND 闪存。此前据彭博社报道，长江存储正在与苹果公司进行谈判，以向这家美国最大的智能手机制造商提供闪存芯片。消息称长江存储的 128 层 3D NAND 闪存已经通过苹果公司的验证，有望进入苹果供应链。
2020 年 4 月 10 日，长江存储科技有限责任公司宣布其 128 层 QLC 3D NAND 闪存（型号：X2-6070）研发成功。
几个月前，外媒称长江存储已经向客户交付了自主研发的 192 层的 3D NAND 闪存，预计今年年底前将会大规模交付。尽管三星、美光已经在 2021 年推出了 192 层的 NAND 闪存，至少这则消息意味着国产存储芯片有希望追平全球顶尖水平的大厂。
但正如白宫在 2021 年 6 月的一份报告中所写，美光和西部数据正面临长江存储的低价竞争压力。该报告称，长江存储的扩张和低价产品对美光和西部数据构成了「直接威胁」，并将长江存储描述为中国的「国家冠军」，获得了中国政府约 240 亿美元的补贴。
美国商务部称，长江存储已在接受其调查，调查内容包括其向中国电信公司华为出售芯片是否违反美国出口管制。
LAM Research Corp、SK 海力士和美光均拒绝了就该事件发表评论。三星、Applied Materials、长江存储和西部数据则没有立即回应置评请求。
不断加码的政策限制
在美国总统拜登的前任特朗普的领导下，中美之间在科技领域的紧张关系日益加深。路透社 7 月 8 日报道称，拜登政府也在考虑限制向中国出口制造先进逻辑芯片的工具，试图打压中国最大的芯片制造商中芯国际。
上周，美国国会批准了通过投资数十亿美元在芯片制造上帮助美国与中国竞争的立法。根据该措施，获得资金支持的芯片制造商将被禁止在中国等国家建立或扩大某些先进芯片的制造，其中也包括由政府确定的先进存储芯片。
据咨询公司 Yole Intelligence 的 Walt Coon 称，长江存储约占全球 NAND 闪存芯片产量的 5%，比一年前几乎翻了一番。西部数据约占 13%，美光约占 11%。Walt Coon 表示，长江存储或将受到拜登政府正在考虑的限制措施的严重伤害。
「如果他们卡在了 128 层，我不知道未来将会怎样。」Walt Coon 说道。
Yole 的数据显示，当前中国 NAND 芯片生产在全球总产量中的占比已从 2019 年的不足 14% 增长到今年的 23% 以上，而同期美国的产量则从 2.3% 下降至 1.6%。对于美国公司来说，几乎所有的芯片生产都是在海外完成的。
目前尚不清楚潜在限制可能对中国其他 NAND 芯片生产参与者产生什么影响。据英特尔新闻稿称，英特尔保留了一份合同来管理其在中国出售给 SK 海力士的工厂的运营，该公司已经在中国工厂启动生产 144 层的内存芯片。
原文链接：https://www.reuters.com/technology/us-considers-crackdown-memory-chip-makers-china-2022-08-01/
THE END
转载请联系本公众号获得授权
投稿或寻求报道：[email protected]
