集微网消息,8月11日,深科技在互动平台表示,深科技沛顿已完成基于8层超薄芯片堆叠技术的LPDDR颗粒以及19nm FCCSP存储颗粒量产,并且在40um超薄晶圆隐形切割,80um细间距倒装芯片焊接,16层超薄芯片堆叠、系统级封装等关键技术达到国内领先,世界先进。目前,公司是国内唯一具有从集成电路高端DRAM / Flash晶圆封装测试到模组成品生产完整产业链的企业。
据悉,沛顿加工的晶圆目前来自全球各大存储器晶圆厂,主力是来自国内的长鑫存储。随着国产存储芯片产能提升,未来国产存储芯片的市场规模十分可观。沛顿目标为未来保持在国内DRAM+Flash存储器晶圆厂存储封测业务主力供应商地位。
深科技表示,合肥沛顿于2021年12月投产以来,产能进度符合预期,计划于2023年底至2024年初满产,届时深科技沛顿月均总产能为12万片/月,可全面配合上游厂商最新的业务发展进度。
在新能源汽车电子制造方面,公司主要与全球知名的汽车动力电池系统企业继续加深合作关系,多款产品稳定量产,并具备各类型超级电容从单体到模组研发制造整体解决方案,可靠的品质得到国内外客户的认可。
储能业务方面,公司具备各类型超级电容从单体到模组研发制造整体解决方案,可以为客户提供产品整体解决方案。
(校对/李正操)